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GaAs功率管

GaAs功率管，采用砷化镓工艺制造的射频功率放大器件。覆盖从1.2GHz到11.7GHz的宽频率范围，可提供从基础级到高功率级别的多种型号选择，适用于各种射频微波应用场景。

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GaN功率管

GaN功率管，采用氮化镓HEMT工艺，覆盖0.7~7.1 GHz频率范围，具有高输出功率、高效率和高增益特性，支持连续波（CW）和脉冲两种工作模式。

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