双平衡混频器
双平衡混频器芯片，采用GaAs肖特基二极管工艺，用于射频信号与本振信号的频率变换，覆盖0.5~40 GHz宽频范围，具有低变频损耗、高端口隔离度和大动态范围。
主要技术指标
频率范围 (RF/LO)：0.5 ~ 40 GHz
变频损耗：7 dB ~ 9 dB
LO-RF 隔离度：30 dB ~ 40 dB
LO-IF 隔离度：30 dB ~ 40 dB
RF-IF 隔离度：30 dB ~ 35 dB
P1dB：+10 dBm
芯片尺寸：最小 1.1×1.1 mm，最大 1.5×1.6 mm
型号
| 型号 |
频率范围 （GHz） |
变频损耗 （dB） |
LO-RF隔离度 （dB） |
LO-IF隔离度 （dB） |
RF-IF隔离度 （dB） |
P1dB （dB） |
芯片尺寸 |
| FMUX1297A1 | 18~40 | 7 | 40 | 40 | 35 | 10 | 1.1×1.1 |
| FMUX9798A1 | 0.5~2.5 | 9 | 30 | 30 | 30 | 10 | 1.45×1.5 |
| FMUX9298A1 | 6~20 | 8 | 30 | 30 | 30 | 10 | 1.5×1.6 |
