驱动双平衡混频器
驱动双平衡混频器芯片，采用GaAs肖特基二极管工艺，内部集成本振（LO）放大器，可降低对外部本振驱动功率的要求。覆盖6~40 GHz宽频范围，具有低变频损耗和高端口隔离度。
主要技术指标
频率范围 (RF/LO)：6 ~ 40 GHz
变频损耗：8 dB ~ 10 dB
LO-RF 隔离度：20 dB ~ 50 dB
LO-IF 隔离度：30 dB ~ 50 dB
RF-IF 隔离度：20 dB ~ 30 dB
P1dB：+10 dBm
芯片尺寸：最小 2.5×1.0 mm，最大 2.9×1.6 mm
型号
| 型号 |
频率范围 （GHz） |
变频损耗 （dB） |
LO-RF隔离度 （dB） |
LO-IF隔离度 （dB） |
RF-IF隔离度 （dB） |
P1dB （dB） |
芯片尺寸 |
| FMUXA9298A1 | 6~20 | 8 | 20 | 30 | 30 | 10 | 2.9×1.6 |
| FMUXA9198A3 | 18~32 | 8 | 50 | 50 | 20 | 10 | 2.5×1.0 |
| FMUXA9197A1 | 20~40 | 10 | 50 | 50 | 25 | 10 | 2.5×1.0 |
