GaAs数控延时器芯片
GaAs数控延时器芯片，采用砷化镓工艺，支持1~6位数字控制，覆盖8~31 GHz频率范围，可实现精确的时延调节。主要用于相控阵雷达、宽带波束形成网络、电子对抗、宽带通信系统等需要时间延迟补偿的应用领域。
主要技术指标
频率范围：8 ~ 31 GHz
延时位数：1 / 3 / 4 / 6 位
延时步进：0.5 ps ~ 8 ps
插入损耗：11 dB ~ 24 dB
输入/输出驻波比：1.4
芯片尺寸：最小 2.4×2.35 mm，最大 4.2×3.6 mm
型号
| 型号 |
频率范围 （GHz） |
延时位数 （bit） |
插入损耗 （dB） |
延时步进 （λ） |
最大延时 （λ） |
输入/输出 驻波比 |
控制电压 |
芯片尺寸 |
| FDL3495B2 | 8~12 | 1 | 12 | 8 | 8 | 1.4/1.4 | -5/0 | 3.0×3.0 |
| FDL3394B2 | 14~18 | 3 | 13 | 1 | - | 1.4/1.4 | +5/0 | 3.0×1.7 |
| FDL3297A1 | 17.5~21.5 | 4 | 24 | 1 | 15 | 1.4/1.4 | +5/0 | 4.2×3.6 |
| FDL3296B1 | 16~23 | 6 | 21 | 6 | 6 | 1.4/1.4 | +5/0 | 3.3×2.9 |
| FDL3193A1 | 27~31 | 3 | 11 | 0.5 | 3.5 | 1.4/1.4 | +5/0 | 2.4×2.35 |
