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GaN开关芯片

GaN开关芯片，采用氮化镓HEMT工艺，支持SPDT开关类型，覆盖DC~18 GHz频率范围，具有极低的插入损耗、高隔离度、大功率容限和快速切换特性。主要用于高功率雷达系统、电子对抗、微波收发组件、通信设备等需要大功率信号路由的射频前端。

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GaAs开关芯片

GaAs开关芯片，支持SPDT和SP3T等多种开关类型，覆盖2~28 GHz频率范围，具有低插入损耗、高隔离度和快速切换特性。主要用于微波收发组件、雷达系统等需要信号路由的射频前端。

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