GaN开关芯片
GaN开关芯片，采用氮化镓HEMT工艺，支持SPDT开关类型，覆盖DC~18 GHz频率范围，具有极低的插入损耗、高隔离度、大功率容限和快速切换特性。主要用于高功率雷达系统、电子对抗、微波收发组件、通信设备等需要大功率信号路由的射频前端。
主要技术指标
频率范围：DC ~ 18 GHz
开关类型：SPDT
插入损耗：0.6 dB ~ 1.3 dB
隔离度：22 dB ~ 35 dB
输入/输出驻波比（ON/OFF）：1.3 ~ 1.6
PIN 0.3dB: +43 dBm ~ +44 dBm
切换时间：10 ns
控制电压：0 / -40 V
芯片尺寸：最小 1.1×1.8 mm，最大 1.6×1.1 mm
型号
| 型号 |
频率范围 （GHz） |
类型 |
插入损耗 （dB） |
隔离度 （dB） |
导通/关断 驻波比 |
PIN 0.3dB （dBm） |
切换时间 （ns） |
控制电压 （V） |
芯片尺寸 |
| FSWN2395A1 | DC~18 | SPDT | 0.6~1.3 | -35 | 1.4/1.4 | 43 | 10 | 0/-40 | 1.6×1.1 |
| FSWN2396A1 | 10~18 | SPDT | 1 | -22 | 1.6/1.6 | - | 10 | 0/-40 | 1.1×2.0 |
| FSWN2397A1 | 14~18 | SPDT | 0.8 | -22 | 1.3/1.4 | 44 | 10 | 0/-40 | 1.1×1.8 |
