GaAs无源幅相多功能芯片
GaAs无源幅相多功能芯片，采用砷化镓工艺，集成了数字移相器和数字衰减器。覆盖7~23 GHz频率范围，用于对射频信号的幅度和相位进行精确控制。主要用于T/R组件等应用领域。
主要技术指标
频率范围：7 ~ 10 GHz / 19 ~ 23 GHz
插入损耗：12.5 dB (7-10 GHz) / 9~11 dB (19-23 GHz)
输入/输出驻波比：1.3 ~ 1.5
控制接口：串行 (7-10 GHz) / 并行 (19-23 GHz)
芯片尺寸：4.5×3.5 mm / 3.5×1.4 mm
型号
| 型号 |
频率范围 （GHz） |
插入损耗 （dB） |
移相位数 |
移相步进 （°） |
衰减位数 |
衰减步进 （dB） |
输入/输出 驻波比 |
控制方式 | 控制电压 | 芯片尺寸 |
| FBF5494B9 | 7~10 | 12.5 | 6 | 5.625 | 6 | 0.5 | 1.3/1.4 | 串行 | ±5 | 4.5×3.5 |
| FBF5281A3 | 19~23 | 9/11 | 6 | 5.625 | 5 | 0.5 | 1.5/1.5 | 并行 | -5/0 | 3.5×1.4 |
