双频段GaN功率放大器芯片
双频段GaN功率放大器芯片，采用氮化镓工艺，支持5~13 GHz范围内的两个独立频段工作，主要工作模式为脉冲（Pulse），部分型号支持连续波（CW）。芯片集成双频段切换能力，适用于需要多频段兼容的射频前端。
主要技术指标
频率范围：双频段，覆盖 5 ~ 13 GHz（具体分频段见型号）
饱和输出功率：+31 dBm ~ +44 dBm
增益：17dB~24dB
效率：35% ~ 56%
芯片尺寸：最小 2.3×1.5 mm，最大 5.2×5.0 mm
型号
| 型号 |
频率范围 （GHz） |
Psat （dBm） |
效率 （%） |
增益 （dB） |
工作电压 （V） |
工作电流 （A） |
工作模式 | 芯片尺寸 |
| FPAN7456S | 5~7/8~11 | 44 | 35 | 22 | 28 | 2600 | Pulse | 5.2×5.0 |
| FPAN7453S | 5~6/7~10 | 44 | 40 | 22 | 28 | 2600 | Pulse | 4.4×4.9 |
| FPAN7450S | 5~6/8.5~13 | 31 | 35 | 17 | 15/-5 | 320 | CW | 2.3×1.5 |
| FPAN7428 | 5~6/8.5~10.5 | 38 | 56 | 24 | 12 | 1100 | Pulse | 3.0×2.5 |
