GaN高线性功率放大器芯片
GaN高线性功率放大器芯片，采用氮化镓工艺，覆盖2.1~32 GHz频率范围，支持连续波及脉冲/CW工作模式，具有高线性度特性。主要用于微波收发组件、无线通讯等领域。
主要技术指标
饱和输出功率：+34 dBm ~ +47 dBm
增益：18 dB ~ 24 dB
效率：28% ~ 55%
芯片尺寸：最小2.3×1.9 mm，最大4.2×3.2 mm
型号
| 型号 |
频率范围 （GHz） |
Psat （dBm） |
效率 （%） |
增益 （dB） |
工作电压 （V） |
工作电流 （A） |
工作模式 | 芯片尺寸 |
| FPAN7685 | 2.1~2.2 | 40 | 45 | 18 | 28 | 1000 | CW | 4.2×3.2 |
| FPAN7657ML | 2.1~2.2 | 38 | 50 | 24 | 12 | 1000 | CW | 4.2×3.2 |
| FPAN7656ML | 2.1~2.2 | 34 | 55 | 22 | 12 | 400 | CW | 4.2×3.2 |
| FPAN7557L | 3.5~6 | 36 | 48 | 20 | 28 | 220 | CW | 2.3×1.9 |
| FPAN7250L | 13.5~15.5 | 44 | 44 | 21 | 28 | 2700 | Pulse / CW | 3.2×2.8 |
| FPAN7249L | 13.5~15.5 | 47 | 44 | 21 | 28 | 5500 | Pulse / CW | 3.2×5.3 |
| FPAN7058L | 27~32 | 40 | 28 | 19 | 24 | 2000 | Pulse / CW | 3.2×2.8 |
| FPAN7057L | 27~32 | 37 | 28 | 19 | 24 | 1000 | Pulse / CW | 2.7×1.5 |
